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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> DG201HSDQ-T1-E3
DG201HSDQ-T1-E3 PDF预览

DG201HSDQ-T1-E3

更新时间： 2024-01-22 05:41:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
9页 124K
描述
High-Speed Quad SPST CMOS Analog Switch

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DG201HSDQ-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP, TSSOP16,.25
针数：16Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：0.89
模拟集成电路 - 其他类型：SPSTJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：5 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
正常位置：NC信道数量：1
功能数量：4端子数量：16
标称断态隔离度：85 dB通态电阻匹配规范：0.75 Ω
最大通态电阻 (Ron)：50 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP16,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Multiplexer or Switches
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
最长断开时间：50 ns最长接通时间：60 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

DG201HSDQ-T1-E3 数据手册

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DG201HS  
Vishay Siliconix  
a
SPECIFICATIONS  
Test Conditions  
Unless Specified  
V+ = 15 V, V- = - 15 V  
A Suffix  
- 55 to 125 °C - 40 to 85 °C  
D Suffix  
Tempb Typc Mind Maxd Mind Maxd Unit  
V
IN = 3 V, 0.8 Vf  
Parameter  
Symbol  
Analog Switch  
Analog Signal Rangee  
VANALOG  
rDS(on)  
Full  
V-  
V+  
V-  
V+  
V
Ω
%
IS = - 10 mA, VD  
=
8.5 V  
Drain-Source  
On-Resistance  
Room  
Full  
25  
50  
75  
50  
75  
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V  
r
DS(on) Match  
Room  
3
Room  
Full  
Room  
Full  
0.1  
- 1  
- 60  
- 1  
1
60  
1
- 1  
- 20  
- 1  
1
20  
1
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V  
IS(off)  
ID(off)  
ID(on)  
VD  
=
15.5 V  
Switch Off Leakage Current  
0.1  
0.1  
VS= 15.5 V  
nA  
- 60  
60  
- 20  
20  
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V  
Channel On Leakage  
Current  
Room  
Full  
- 1  
- 60  
1
60  
- 1  
- 20  
1
20  
V
S = VD  
=
15.5 V  
Digital Control  
VINH  
VINL  
Input, High Voltage  
Input, Low Voltage  
Input Capacitance  
Input Current  
Full  
Full  
Full  
Full  
2.4  
- 1  
2.4  
- 1  
V
0.8  
1
0.8  
1
CIN  
5
pF  
µA  
IINH or IINL  
VIN under test = 0.8 V, 3 V  
Dynamic Characteristics  
Room  
Full  
Room  
Full  
48  
30  
60  
75  
50  
70  
60  
75  
50  
70  
tON  
Turn-On Time  
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF  
VS  
=
10 V, VINH = 3 V  
See Figure 2  
tOFF1  
ns  
Turn-Off Time  
tOFF2  
ts  
Room  
Room  
150  
180  
Output Settling Time to 0.1 %  
Charge Injection  
CL = 1 nF, VS = 0 V  
Vgen = 0 V, Rgen = 0 Ω  
RL = 1 kΩ, CL = 10 pF  
Q
Room  
Room  
- 5  
85  
pC  
dB  
Off Isolation  
OIRR  
f = 100 kHz  
Any Other Channel Switches  
RL = 1 kΩ, CL = 10 pF  
Crosstalk  
(Channel-to-Channel)  
XTALK  
Room  
100  
f = 100 kHz  
CS(off)  
CD(off)  
CD(on)  
Source Off Capacitance  
Drain Off Capacitance  
Channel On Capacitance  
Room  
Room  
Room  
8
8
VS , VD = 0 V, f = 1 MHz  
pF  
30  
Drain-to-Source  
Capacitance  
CDS(off)  
Room  
0.5  
Power Supplies  
Room  
Full  
Room  
Full  
4.5  
3.5  
Positive Supply Current  
I+  
10  
10  
mA  
V+ = 15 V, V- = - 15 V  
VIN = 0 or 5 V  
Negative Supply Current  
Power Consumptionc  
I-  
- 6  
- 6  
PC  
Full  
240  
240  
mW  
Notes:  
a.Refer to PROCESS OPTION FLOWCHART.  
b.Room = 25 °C, Full = as determined by the operating temperature suffix.  
c.Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.  
d.The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum, is used in this data sheet.  
e.Guaranteed by design, not subject to production test.  
f. VIN = input voltage to perform proper function.  
Document Number: 70038  
S-71241–Rev. G, 25-Jun-07  
www.vishay.com  
3
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