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DG201HSAZ/883

更新时间： 2024-02-19 04:06:24

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TEMIC		复用器开关复用器或开关信号电路
页数	文件大小	规格书
8页	109K
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High-Speed Quad SPST CMOS Analog Switch

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DG201HSAZ/883 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	QCCN, LCC20,.35SQ	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	模拟集成电路 - 其他类型：	SPST
JESD-30 代码：	S-XQCC-N20	JESD-609代码：	e0
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	正常位置：	NC
功能数量：	4	端子数量：	20
最大通态电阻 (Ron)：	120 Ω	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出：	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC20,.35SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	电源：	+-15 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
子类别：	Multiplexer or Switches	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	最长接通时间：	50 ns
切换：	BREAK-BEFORE-MAKE	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

DG201HSAZ/883 数据手册

DG201HS

Test Circuits

+15 V

V+

3 V

0 V

Logic

Input

t <20 ns

50%

"10 V

OFF1

Switch

Input

1 kW

35 pF

3 V

GND

V–

90%

10%

Switch

Output

–15 V

(includes fixture and stray capacitance)

OFF2

= V

+ r

DS(on)

Figure 2. Switching Time

+15 V

V+

GND

1 nF

3 V

V–

OFF

–15 V

Q = DV x C

Figure 3. Charge Injection

+15 V

V+

+15 V

R = 50 W

V+

50 W

0V, 2.4 V

R = 50 W

0V, 2.4 V

GND

V–

GND

V–

–15 V

Isolation = 20 log

Off Isolation = 20 log

TALK

C = RF bypass

Figure 4. Off Isolation

Figure 5. Crosstalk

Siliconix

E-77071—Rev. E, 01-Sep-97

1...4 5 678

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