ダイオードモジュール
DIODE MODULE
DF30NA80/160
UL; E76102(M)
DF30NA80/160 (SIP-Diode Module)
Tc point
47.10±0.50
39.80±0.30
(35.50)
• Three Phase Rectifier Bridge
• 三相全波整流㴗㳻㴁㱟㴠㴹㴏㴼㱟㵂
2-φ3.30±0.20
5.00±0.30
0.10(ザグリ部)
《Advantages》
《特長》
• SIP (Single In-line Package)
• Very Low Forward Voltage Drop
• High Surge Current Capability
• 2500V Isolation ratings
• 㴎㵊㴇㵂 㳻㵊㵀㳻㵊 㴨㴚㴈㱟㴏
• 低㴁㵊電圧
• 高㴌㱟㴏電流特性
• 絶縁耐圧2500V
• RoHS指令適合
(30.0)
+
~
~
~
-
Tc point
A
4-R1
0.50±0.15
+0.20
(2.40)
3.10
-0.10
1.00±0.20
7.62±0.30
(30.48)
(40.50)
• RoHS directive compliance
A(2:1)
(0.10)
(1.80)
(0.20)
《Applications》
《用途》
• Welding and Plasma Cutting Machines
• Battery Chargers
• 溶接機・切断機
• 充電器
• 各種電源装置
• 㴹㱟㴖㱟制御
• 家電品
bottom side
• Power Supplies
(1.60)
+0.20
• Motor Controls
• Home Appliance
3.10
-0.10
+
~
~
~
-
Unit 単位:mm
■Maximum Ratingsꢀ最大定格
(Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃)
Ratingsꢀ定格値
Symbol
Item
Unit
記号
項ꢀ目
単位
DF30NA80
DF30NA160
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
VRSM
800
960
1600
V
V
定格ピーク繰返し逆電圧
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
1700
定格ピーク非繰返し逆電圧
Symbol 記号
Itemꢀ項ꢀ目
Conditionsꢀ条ꢀ件
Ratingsꢀ定格値
30
Unit 単位
Output Current(D.C.)
Three Phase full wave.ꢀTC=92℃
ID
A
直
流出力電流
三相全波整流回路
50Hz/60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value
Surge Forward Current
IFSM
I2t
365/400
660
A
A2s
℃
℃
V
50Hz/60Hz 正弦半波 非繰返し 1サイクル 波高値
サージ順 電流
I2t
Value for one cycle of surge current
1サイクルサージ順 電流に対する値
電流二乗時間積
Operating Junction Temperature
接合部温度
Tj
-40~+150
-40~+125
2500
Storage Temperature
保存温度
Tstg
VISO
Isolation Breakdown Voltage(R.M.S.)
Terminals to case, AC 1minute
主端子ーケース間,AC 1分間
絶縁耐圧(実効値
)
Mounting Torque
締付トルク強度
Mounting(M3) Recommended Torque
N・m
0.5N
0.8
(kgf・cm)
取付
推奨値
Mass
質量
Typical Value
標準値
15
g
■Electrical Characteristicsꢀ電気的特性
(Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃)
Ratingsꢀ規格値
Min. Typ. Max.
Symbol
Item
Conditions
Unit
記号
項ꢀ目
条ꢀ件
単位
at VRRM
VRRM 印加
Repetitive Peak Reverse Current
IRRM
VFM
Tj=150℃,
4
mA
V
逆電流
Forward Voltage Drop
Inst. measurement
Tj=25℃,IFM=30A, 瞬時測定
Tj=150℃
1.2
順
電圧降下
Threshold Voltage
閾値 電圧
V(TO)
rt
0.85
10.3
0.8
V
Dynamic Resistance
オン抵抗
Tj=150℃
mΩ
℃/W
Thermal Impedance
熱抵抗
Junction to case per one module
接合ーケース間ꢀ
Rth(j-c)
Case to Heat sink
Thermal conductivity(Silicon grease)≒7×10-[3 W/㎝・℃ ]
Interface Thermal Impedance
接触熱抵抗
Rth(c-f)
0.13 ℃/W
ケースーヒートシンク間
シリコングリースの熱伝導率≒7×10-[3 W/㎝・℃ ]