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DF01M PDF预览

DF01M

更新时间： 2024-01-04 12:07:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
1.5 Ampere Bridge Rectifiers

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DF01M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP-4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.19
其他特性：LOW LEAKAGE, UL RECOGNIZED最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDIP-T4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：3.1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DF01M 数据手册

 浏览型号DF01M的Datasheet PDF文件第2页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
DF005M - DF10M  
0.335 (8.509)  
0.320 (8.128)  
+
Features  
0.350 (8.890)  
0.300 (7.620)  
0.255 (6.477)  
0.245 (6.223)  
0.315 (8.001)  
0.285 (7.239)  
• Surge overload rating: 50 amperes  
peak.  
LOW PROFILE ALSO AVAILABLE  
BODY - - 0.102 (2.591)*  
0.095 (2.413)*  
0.205 (5.207)  
0.195 (4.953)  
• Glass passivated junction.  
• Low leakage.  
LEAD - - 0.080 (2.032)**  
0.050 (1.270)**  
0.130 (3.302)*  
0.120 (3.408)*  
DIP  
0.022 (0.559)  
0.018 (0.457)  
0.185 (4.699)**  
0.150 (3.810)**  
0.075 (1.905)  
0.055 (1.397)  
0.045 (1.143)  
0.035 (0.889)  
1.5 Ampere Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
@ TA = 40°C  
1.5  
A
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg  
50  
A
PD  
3.1  
25  
40  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
**Device mounted on PCB with 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
005M  
01M  
100  
70  
02M  
200  
140  
200  
04M  
400  
280  
400  
06M  
08M  
10M  
1000  
700  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
50  
35  
50  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
100  
1000  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
Maximum Reverse Leakage,  
total bridge @ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
µA  
Maximum Forward Voltage Drop,  
per bridge  
@ 1.0 A  
t < 8.35 ms  
1.1  
10  
V
I2t rating for fusing  
A2Sec  
Typical Junction Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
25  
pF  
ã 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF01M/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE, PLASTIC, CASE DFM, 4
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 		Rectifier Diode,
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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, MINIATURE, PLASTIC, CASE DFM

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