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DDG1C10

更新时间： 2024-02-13 20:19:23

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
4页	52K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon,

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DDG1C10 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	E-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.64
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.3 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

DDG1C10 数据手册

FAST RECOVERY DIODE

DDG1C

FEATURES

OUTLINE DRAWING

Unit in mm(inch)

• For high speed switching.

• Diffused-junction. Glass passivated and

encapsulated.

Direction of polarity

1.2

(0.05)

Color of

Type

cathode band

DDG1C10 (1000V) Yellow

DDG1C13 (1300V) Black

Weight: 1.0 (g)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DDG1C10

1000

DDG1C13

1300

Items

Type

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

Single-phase half sine wave 180° conduction

TL = 85°C, Lead length = 10mm

Average Forward Current

I_F(AV)

1.5

(

)

40( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 150°C start )

6.4( Time = 2 ~ 10ms, I = RMS value )

-65 ~ +150

Surge(Non-Repetitive) Forward Current

I²t Limit Value

I_FSM

I²t

A²s

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

T_stg

-65 ~ +150

Notes (1) Lead mounting : Lead temperature 300°C max. to 3.2mm from body for 5sec. max..

(2) Mechanical strength : Bending 90°×2 cycles or 180°×1 cycle, Tensile 3kg, Twist 90°×1 cycle.

CHARACTERISTICS(T_L=25°C)

Symbols

I_RRM

Items

Units

Min. Typ. Max.

Test Conditions

Peak Reverse Current

µA

Rated V_RRM

I_FM=1.5Ap, Single-phase half sine

wave 1 cycle

Peak Forward Voltage

V_FM

trr

µs

1.6

0.3

Reverse Recovery Time

I_F=0.5A, I_rp=1.0A, 25% Recovery

Lead length = 10 mm

R_th(j-a)

R_th(j-l)

°C/W

Steady State Thermal Impedance

PDE-DDG1C-0

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