生命周期: | Transferred | 包装说明: | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.64 | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.6 V | JESD-30 代码: | E-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 40 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 1.5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1300 V | 最大反向恢复时间: | 0.3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DDG25PNBT | ETC |
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PCB layouts |
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DDG9PNBT | ETC |
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DDG9PWBT | ETC |
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DDG-CJS-P1 | DOMINANT |
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LED AlInGaP |
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DDG-CJS-P2 | DOMINANT |
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LED AlInGaP |
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DDG-CJS-PQ2-1 | DOMINANT |
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DDG-CJS-Q1 | DOMINANT |
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DDG-CJS-Q2 | DOMINANT |
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DDG-CRS-P1 | DOMINANT |
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LED - AlInGaP |
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DDG-CRS-P2 | DOMINANT |
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LED - AlInGaP |
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