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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DDA123JK-7-F
DDA123JK-7-F PDF预览

DDA123JK-7-F

更新时间： 2024-09-26 12:58:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

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DDA123JK-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：5.35
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 21.36最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DDA123JK-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: DDA124EK DDA144EK DDA114YK DDA123JK DDA143TK DDA114TK  
DDA (xxxx) K  
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-26  
DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
A
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary NPN Types Available (DDC)  
SOT-26  
Dim Min Max Typ  
Y M P X X  
B
Built-In Biasing Resistors  
A
B
C
D
G
H
J
0.35 0.50 0.38  
1.50 1.70 1.60  
2.70 3.00 2.80  
0.95  
C
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
PXX YM  
G
H
Mechanical Data  
1.90  
·
·
Case: SOT-26  
K
J
2.90 3.10 3.00  
0.013 0.10 0.05  
1.00 1.30 1.10  
0.35 0.55 0.40  
0.10 0.20 0.15  
M
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
L
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
L
D
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
M
a
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Copper leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 5, on Page 2  
0°  
8°  
¾
All Dimensions in mm  
·
Marking: Date Code and Marking Code (See Diagrams &  
Page 2)  
6
1
5
4
3
6
1
5
4
3
·
·
Ordering Information (See Page 2)  
Weight: 0.015 grams (approximate)  
R1  
R2  
R1  
R2  
R1  
R1  
P/N  
R1  
R2  
MARKING  
2
2
22KW  
DDA124EK  
DDA144EK  
DDA114YK  
DDA123JK  
DDA114EK  
DDA143TK  
DDA114TK  
22KW  
47KW  
47KW  
47KW  
10KW  
-
P17  
P20  
P14  
P06  
P13  
P07  
P12  
R1, R2  
R1 Only  
47KW  
10KW  
2.2KW  
10KW  
4.7KW  
10KW  
SCHEMATIC DIAGRAM  
-
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VCC  
Supply Voltage, (1) to (6) and (4) to (3)  
Input Voltage, (2) to (1) and (5) to (4)  
50  
V
DDA124EK  
DDA144EK  
DDA114YK  
DDA123JK  
DDA114EK  
DDA143TK  
DDA114TK  
+10 to -40  
+10 to -40  
+6 to -40  
+5 to -12  
+10 to -40  
+5 Vmax  
+5 Vmax  
VIN  
V
Output Current  
DDA124EK  
DDA144EK  
DDA114YK  
DDA123JK  
DDA114EK  
DDA143TK  
DDA114TK  
-30  
-30  
-70  
IO  
-100  
-50  
-100  
-100  
mA  
IC (Max)  
Pd  
Output Current  
All  
-100  
300  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation (Total)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
416.7  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Mounted on FR4 PC Board with recommended pad layout at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. 200mW per element must not be exceeded.  
3. No purposefully added lead.  
DS30349 Rev. 5 - 2  
1 of 6  
DDA (xxxx) K  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DDA123JU DIODES

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 		PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-63 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDA123JU-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
DDA123JU-7 DIODES

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