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DD171N12

更新时间： 2024-01-02 11:08:45

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英飞凌 - INFINEON		/
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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DD171N12 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	6600 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	171 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

DD171N12 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD171N

DD171N..K..-A

DD171N..K..-K

ND171N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften_{T = -40°C... T}

1200

1600

1400 V

1800 V

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

1300

1700

1500 V

1900 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

270 A

171 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

6.600 A

5.600 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

218.000 A²s

157.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,26 V

0,75 V

0,8 mΩ

20 mA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 500 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

reverse current

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,0 kV

2,5 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

R_thJC

max.

0,130 °C/W

0,260 °C/W

0,126 °C/W

0,252 °C/W

thermal resistance, junction to case

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,03 °C/W

0,06 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

- 40...+150 °C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

M.Stelte

date of publication: 2011-03-01

revision: 3.0

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte

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DD171N16K-K	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3	获取价格
DD171N18	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-3	获取价格

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