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DBFF100R12KS430

更新时间： 2022-01-19 03:53:00

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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DBFF100R12KS430 数据手册

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FF100R12KS4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25° C

V_CES

1200

V

T

_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

100

150

A

A

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 70°C

I_CRM

200

0,78

+/- 20V

100

A

kW

V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

200

A

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

kV

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

4

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 100A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

-

3,2

3,7

V

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 100A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

-

3,85

-

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 4mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15V...+15V

V_GE(th)

4,5

5,5

1,1

6,5

0,42

-

6,5

V

Gateladung

gate charge

Q_G

-

-

-

-

-

-

µC

nF

nF

mA

nA

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

-

-

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

V

_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

5

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V

-

400

prepared by: MOD-D2; Martin Knecht

approved by: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2003-01-13

revision: 3.0

DB_FF100R12KS4_3.0

2003-01-13

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