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DBFF400R12KE320

更新时间: 2022-01-21 16:03:00
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其他 - ETC 双极性晶体管
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8页 150K
描述
IGBT Module

DBFF400R12KE320 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FF400R12KE3  
vorläufiges Datenblatt  
preliminary data sheet  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj= 25°C  
VCES  
1200  
V
400  
580  
A
A
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
Tc= 80°C  
Tc= 25°C  
IC, nom  
IC  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, Tc= 80°C  
ICRM  
800  
2000  
+/- 20  
400  
800  
34  
A
W
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C; Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
tp= 1ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min.  
I²t  
k A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
typ.  
1,7  
2,0  
max.  
2,15  
-
IC= 400A, VGE= 15V, Tvj= 25°C  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
collector emitter saturation voltage  
IC= 400A, VGE= 15V, Tvj= 125°C  
-
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC= 16mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C  
5,0  
5,8  
3,7  
28  
1,15  
-
6,5  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V  
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
-
Kollektor Emitter Reststrom  
V
CE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
ICES  
5
collector emitter cut off current  
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
V
IGES  
-
400  
prepared by: MOD -D2; Martin Knecht  
approved: SM TM; Wilhelm Rusche  
date of publication: 2003-03-18  
revision: 2.0  
DB_FF400R12KE3_2.0  
2003-03-18  
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