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DBBSM35GB120DLC30

更新时间： 2024-09-30 23:46:31

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IGBT Module

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM35GB120DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25° C

V_CES

1200

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

310

+/- 20V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

400

2,5

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,1

2,6

I_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

2,4

2,9

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 1,2mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

0,35

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V...+15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

I_GES

0,13

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

400

prepared by: Mod-D2; Mark Münzer

approved by: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2003-01-10

revision: 3.0

DB_BSM35GB120DLC_3.0

2003-01-10

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