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DB1506S

更新时间： 2024-09-21 06:52:19

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SECOS		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	111K
描述
1.5 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers

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DB1506S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DB1506S 数据手册

DB1501S ~ DB1507S

VOLTAGE 50 V ~ 1000 V

1.5 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

DB-1S

z Low forward voltage drop, high current capability

z Rating to 1000V PRV

z Ideal for printed circuit board

.047(1.2)

.037(0.95)

.335(8.5)

.307(7.8)

z Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique

results in inexpensive products

.031(0.8)

.023(0.6)

.256(6.5)

.244(6.2)

z Lead tin Pb / Sn copper

z The plastic material has UL flammability classification 94V-0

.406(10.3)

.391(10.0)

.140(0.35)

.008(0.2)

.323(8.2)

.315(8.0)

MECHANICAL DATA

.102(2.6)

.089(2.2)

z Polarity: As marked on Body

z Weight:0.02 ounces, 0.38 grams

z Mounting position: Any

.063(1.6)

.055(1.4)

.205(5.2)

.197(5.0)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, de-rate current by 20%.

SYMBOL

PARAMETERS

UNIT

1501S 1502S 1503S 1504S 1505S 1506S 1507S

Peak Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

@T_A=40℃

I_(AV)

1.5

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half

Sine-Wave Super Imposed on Rated Load

(JEDEC Method)

I_FSM

Maximum Forward Voltage at 1.5 A DC

V_F

I_R

1.1

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@T_J=25℃

@T_J=125℃

500

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²t

C_J

10.4

A²s

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

R_θJA

℃/W

℃

Operating and Storage temperature range

T_J, T_STG

-55 ~ 150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC

2. Thermal resistance from junction to ambient mounted on P.C.B. with 0.5*0.5"(13*13mm) copper pads.

01-June-2005 Rev. B

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