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DAP209

更新时间: 2024-02-21 10:23:29
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罗姆 - ROHM 二极管
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3页 198K
描述
Epitaxial Planar Silicon Diode Arrays

DAP209 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-25 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

DAP209 数据手册

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