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D820N

更新时间： 2024-09-24 09:55:07

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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

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D820N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D820N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM2000

2200

2400 V

2600 V

2800 V

T_vj= -25°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

1273 A

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

820 A

1160 A

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

1820 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

10600 A

9000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

561,8 10³A²s

405 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 750 A

v_F

max.

2,15 V

1,25 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,52

Ersatzwiderstand

slope resistance

-1,056E-01

6,217E-04

2,148E-01

-1,863E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_F≤ 4000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

40 mA

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max.

0,039 °C/W

0,035 °C/W

0,062 °C/W

0,058 °C/W

0,093 °C/W

0,089 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0075

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,0150 °C/W

einseitig / single-sided

160

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2010-01-20

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

A 14/10

1/8

IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D820N20T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2000V V(RRM), Silicon,
D820N20TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D820N22T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2200V V(RRM), Silicon,
D820N22TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D820N24THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2400V V(RRM), Silicon,
D820N24TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D820N26THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2600V V(RRM), Silicon,
D820N26TXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D820N28T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2800V V(RRM), Silicon,
D820N28THOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 820A, 2800V V(RRM), Silicon,

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