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D798N1200

更新时间： 2024-01-04 17:00:13

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D798N1200 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	12700 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	800 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden

Power Rectifier Diodes

D 798 N

Kathode

Cathode

Anode

ø3,5 ^+0.1x 2 tief / depth

beidseitig / on both sides

VWK July 1996

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D798N1400	INFINEON	Rectifier Diode,	获取价格
D798N1800	INFINEON	Rectifier Diode,	获取价格
D798N18THOSA1	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1050A, 1800V V(RRM), Silicon,	获取价格
D798N800	INFINEON	Rectifier Diode,	获取价格
D798NO8T	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1050A, 800V V(RRM), Silicon,	获取价格
D7A0000-16301FT-G	DBLECTRO	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7MHz Nom, HC-49/U, 2 PIN	获取价格