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D798N1200

更新时间： 2024-01-01 05:28:53
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英飞凌 - INFINEON /
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4页 69K
描述
Rectifier Diode,

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D798N1200 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-CEDB-N2最大非重复峰值正向电流：12700 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：800 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
Base Number Matches：1

D798N1200 数据手册

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D 798 N  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical properties  
Höchstzulässige Werte  
Maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage  
tvj = -40°C... tvj max  
VRRM  
800, 1200  
1400, 1800  
+ 100  
V
V
Stoßspitzensperrspannung  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
Dauergrenzstrom  
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... tvj max  
RMS forward current  
VRSM = VRRM  
IFRMSM  
V
1650  
A
mean forward current  
surge forward current  
I2 t-value  
tc = 130 °C  
IFAVM  
800  
A
tc = 106 °C  
1050  
A
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
IFSM  
14,8  
kA  
kA  
11,8  
I2 t  
1095 kA2s  
696 kA2s  
Charakteristische Werte  
Durchlaßspannung  
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
Sperrstrom  
Characteristic values  
on-state voltage  
threshold voltage  
slope resistance  
reverse current  
tvj = tvj max, iF = 3,2 kA  
tvj = tvj max  
VT  
max.  
max.  
1,77  
0,81  
0,28  
50  
V
V
VT(TO)  
rT  
tvj = tvj max  
mW  
mA  
tvj = tvj max, VR = VRRM  
iR  
Thermische Eigenschaften  
Thermal properties  
thermal resistance, junction  
to case  
Innerer Widerstand  
beidseitig/two-sided, Q =180° sin RthJC  
beidseitig/two sided, DC  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
0,0460 °C/W  
0,0415 °C/W  
0,0755 °C/W  
0,0710 °C/W  
0,1045 °C/W  
0,1000 °C/W  
0,0075 °C/W  
0,0150 °C/W  
Anode/anode, Q =180° sin  
Anode/anode, DC  
Kathode/cathode, Q =180° sin  
Kathode/cathode, DC  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided  
einseitig /single-sided  
RthCK  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
max. junction temperature  
tvj max  
tc op  
tstg  
180  
-40...+150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften  
Si-Element mit Druckkontakt  
Anpreßkraft  
Mechanical properties  
Si-pellet with pressure contact  
clamping force  
Æ = 30 mm  
Gehäuseform/case design T  
F
6...15  
110  
25  
kN  
g
Gewicht  
weight  
G
typ.  
Kriechstrecke  
creepage distance  
humidity classification  
vibration resistance  
outline  
mm  
Feuchteklasse  
DIN 40040  
f = 50 Hz  
C
Schwingfestigkeit  
Maßbild  
50 m/s2  
Seite/page  
1234

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