Datasheet > D4810N22T VF

D4810N22T VF

更新时间： 2024-10-01 11:14:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		整流二极管
页数	文件大小	规格书
8页	231K
描述
D4810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高度 26mm。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D4810N22T VF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4810N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM2200

2400

2600 V

2800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

Durc

hla

str

^{repetitive p}k^{eak reverse voltages}

ffek

tivw

^ertigenschaften

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

8400 A

maximum RMS on-state current

T_C= 100°C

Dauergrenzstrom

4810 A

6940 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

10900 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj=T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

80000 A

60000 A

32000 10³A²s

18000 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 10 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4 kA

v_F

max.

1,450 V

1,078 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,062

Ersatzwiderstand

slope resistance

1,181E+00

1,391E-05

-9,794E-02

1,031E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

1500 A ≤ i_F≤ 20000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

200 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0080 °C/W

max. 0,0073 °C/W

max. 0,0147 °C/W

max. 0,0136 °C/W

max. 0,0174 °C/W

max. 0,0160 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,0050

max.

°C/W

160

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2008-08-12

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

A 34/08

1/8

IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann

Seite/page

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与D4810N22T VF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D4810N22TVF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D4810N22TVFXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D4810N24T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 6940A, 2400V V(RRM),
D4810N24TVFXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D4810N28T VF	INFINEON	获取价格	D4810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 111mm，高度
D4810N28TVFHOSA1	INFINEON	获取价格	暂无描述
D4810N28TVFXPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
D4810Z	ETC	获取价格
D48110Z	ETC	获取价格
D4812	ETC	获取价格

与D4810N22T VF相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

29
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

24
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

25
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D4810N22T VF

D4810N22T VF 数据手册

与D4810N22T VF相关器件

与D4810N22T VF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D4810N22T VF

D4810N22T VF 数据手册

与D4810N22T VF相关器件

与D4810N22T VF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？