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D4810N22TVFXPSA1

更新时间： 2024-09-30 14:48:47

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英飞凌 - INFINEON		测试二极管
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Rectifier Diode,

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D4810N22TVFXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEDB-N2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.73
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.45 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	60000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	6940 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压：	2200 V	最大反向电流：	200000 µA
反向测试电压：	2200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

D4810N22TVFXPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4810N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM2200

2400

2600 V

2800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

Durc

hla

str

^{repetitive p}k^{eak reverse voltages}

ffek

tivw

^ertigenschaften

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

8400 A

maximum RMS on-state current

T_C= 100°C

Dauergrenzstrom

4810 A

6940 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

10900 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj=T_{vj max}, t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

80000 A

60000 A

32000 10³A²s

18000 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 10 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4 kA

v_F

max.

1,450 V

1,078 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,062

Ersatzwiderstand

slope resistance

1,181E+00

1,391E-05

-9,794E-02

1,031E-02

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

1500 A ≤ i_F≤ 20000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

200 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0080 °C/W

max. 0,0073 °C/W

max. 0,0147 °C/W

max. 0,0136 °C/W

max. 0,0174 °C/W

max. 0,0160 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,0050

max.

°C/W

160

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2008-08-12

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

A 34/08

1/8

IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann

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