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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 基于收集器的最大容量： | 125 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D45C1-DR6269 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| D45C1-DR6274 | RENESAS |
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4A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| D45C1-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| D45C2 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| D45C2 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| D45C2 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
|
| D45C2 | BOCA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| D45C2 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| D45C2 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| D45C2-6200 | RENESAS |
获取价格 |
4A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
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