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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.44 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D45C3-6203 | RENESAS |
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4A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| D45C3-6226 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| D45C3-6255 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45C3-6261 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45C3-6263 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45C3-6265 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| D45C3-DR6259 | RENESAS |
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4A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| D45C4 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| D45C4 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4A,30-80V,30W) |
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| D45C4 | BOCA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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