Datasheet > D358S08

D358S08

更新时间： 2024-09-28 14:48:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 800V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D358S08 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

D358S08 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 358 S 06...10

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

600

800

1000

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

700

900

non-repetitive peak reverse voltage

1100

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

730

T_C=100°C

T_C=77°C

Dauergrenzstrom

358

465

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

6300

5200

12880

10630

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

198450 A²s

135200 A²s

82950 A²s

56500 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 1400 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,26

1,05

0,8

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

3,1

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=1400A

t_fr

3,8

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

10 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

100 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=465A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

1,8

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 09.02.87

Seite/page 1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与D358S08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D358S10	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1000V V(RRM), Silicon,
D358S10SEITE1BIS5	ETC	获取价格	SCR / Diode Presspacks
D358S10T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1000V V(RRM), Silicon,
D358S6T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 600V V(RRM), Silicon,
D35JA05	YANGJIE	获取价格	JA
D35JA10	YANGJIE	获取价格	JA
D35JA100	YANGJIE	获取价格	JA
D35JA20	YANGJIE	获取价格	JA
D35JA40	YANGJIE	获取价格	JA
D35JA60	YANGJIE	获取价格	JA

与D358S08相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D358S08

D358S08 技术参数

D358S08 数据手册

与D358S08相关器件

与D358S08相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

D358S08

D358S08 技术参数

D358S08 数据手册

与D358S08相关器件

与D358S08相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？