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D360AG-00

更新时间： 2024-11-16 06:52:07

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	29K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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D360AG-00 数据手册

N P N S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

5027 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：D360AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：3600×3600µm ²

焊位尺寸：B 极 475×730µm ²；E 极 480×900µm ²

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：KSC5027，HC5027

█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

150℃

50W

T_j——结温

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

1100V

800V

I_C——集电极电流（DC）

I_C——集电极电流（脉冲）

I_B——基极电流

10A

1.5A

█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-220）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_C=5mA，I_B=0

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_EBO

集电极—发射极击穿电压

集电极—基极击穿电压

发射极—基极击穿电压

发射极—基极截止电流

集电极—基极截止电流

直流电流增益

800

1100

I_C=1mA，I_E=0

I_E=1mA，I_C=0

V_EB=5V，I_C=0

V_CB=800V，I_E=0

V_CE=5V，I_C=0.2A

V_CE=5V，I_C=1A

I_C=1.5A，I_B=0.3A

V_CE=10V，I_C=0.2A

I_CBO

h_FE

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

集电极—发射极饱和压降

基极—发射极饱和压降

特征频率

1.5

MHz

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