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CZS5064LEADFREE PDF预览

CZS5064LEADFREE

更新时间： 2024-09-27 20:00:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
2页 364K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PACKAGE-4

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CZS5064LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.09
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CZS5064LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZS5064LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CZS5064  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZS5064 type is  
an epoxy molded PNPN Silicon Controlled Rectifier  
manufactured in an epoxy molded surface mount  
package, designed for control systems and sensing  
circuit applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
V
400  
400  
DRM  
RRM  
V
I
0.8  
A
T(RMS)  
Average On-State Current (T =67°C)  
I
0.51  
A
C
T(AV)  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
150  
°C  
J
T
°C  
stg  
Θ
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
25  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
μA  
V
I
I
V =400V, R =1.0KΩ, T =125°C  
50  
50  
DRM  
RRM  
D
GK  
C
V =400V, R =1.0KΩ, T =125°C  
D
GK  
C
V
I =1.2A  
1.7  
200  
0.8  
T
T
I
V =7.0V, R =100Ω, R =1.0KΩ  
GK  
μA  
V
GT  
D
L
V
V =7.0V, R =100Ω, R =1.0KΩ  
GT  
GD  
D
L
GK  
V
V =400V, R =100Ω, T =125°C  
0.1  
V
D
L
C
I
t
V =7.0, R =1.0KΩ  
5.0  
mA  
H
D
GK  
V =400V, I =1.0mA, I =1.0A,  
ON  
D
GT  
F
R
=1KΩ, di/dt=6.0A/μs  
2.8  
μs  
GK  
R4 (23-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZS5064TR13 CENTRAL

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