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Datasheet > 暂无类别数据> CY7C1510AV18-167BZXI
CY7C1510AV18-167BZXI PDF预览

CY7C1510AV18-167BZXI

更新时间： 2024-01-29 07:46:58
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
26页 1098K
描述
72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

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CY7C1510AV18-167BZXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：0.5 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：167 MHzI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e1
长度：17 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：QDR SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：165字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.36 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.85 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

CY7C1510AV18-167BZXI 数据手册

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CY7C1510AV18  
CY7C1525AV18  
CY7C1512AV18  
CY7C1514AV18  
PRELIMINARY  
Pin Configurations[1] (continued)  
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout  
CY7C1512AV18 (4M x 18)  
1
2
3
A
4
5
6
K
7
NC/288M  
BWS0  
A
8
RPS  
A
9
A
10  
A
11  
CQ  
Q8  
D8  
D7  
VSS/144M  
A
B
C
D
CQ  
NC  
NC  
NC  
BWS1  
NC  
WPS  
A
Q9  
NC  
D11  
D9  
NC  
NC  
NC  
NC  
Q7  
NC  
K
D10  
Q10  
VSS  
VSS  
A
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
NC  
Q12  
D13  
VREF  
NC  
Q11  
D12  
Q13  
VDDQ  
D14  
Q14  
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VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
NC  
NC  
D6  
NC  
NC  
VREF  
Q4  
Q6  
E
F
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
Q5  
D5  
ZQ  
D4  
Q3  
Q2  
NC  
G
H
J
VDDQ  
NC  
DOFF  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
D3  
K
L
Q15  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
D17  
NC  
D16  
Q16  
Q17  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
A
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
Q1  
NC  
D0  
D2  
D1  
Q0  
M
N
P
C
A
A
A
A
A
A
A
A
A
TDO  
TCK  
A
TMS  
TDI  
R
C
CY7C1514AV18 (2M x 36)  
1
2
3
5
6
7
8
9
10  
11  
4
Vss/288M  
A
A
Vss/144M  
CQ  
A
B
C
D
CQ  
BWS  
BWS  
A
BWS  
BWS  
A
WPS  
A
K
RPS  
A
2
1
Q27  
Q18  
Q28  
D20  
D18  
D19  
Q19  
Q20  
D21  
Q22  
D17  
D16  
Q16  
Q17  
Q7  
Q8  
D8  
D7  
K
A
3
0
D27  
D28  
Q29  
Q30  
D30  
V
V
SS  
SS  
V
V
V
V
V
D15  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
D29  
Q21  
D22  
V
V
V
V
V
V
Q15  
D14  
D6  
Q6  
E
F
DDQ  
SS  
DDQ  
V
V
V
V
V
V
V
V
Q14  
D13  
Q5  
D5  
ZQ  
D4  
Q3  
DDQ  
DD  
DD  
DD  
DD  
SS  
SS  
SS  
SS  
DD  
DDQ  
V
V
V
V
V
V
Q13  
G
H
J
DDQ  
DD  
DDQ  
V
V
V
V
V
VDDQ  
D12  
V
DOFF  
D31  
REF  
DDQ  
DD  
DDQ  
REF  
DDQ  
Q31  
D32  
Q24  
Q34  
D26  
D35  
D23  
Q23  
D24  
D25  
Q25  
Q26  
V
V
V
Q4  
D3  
DDQ  
DD  
DDQ  
Q32  
Q33  
V
V
V
V
Q12  
D11  
D10  
Q10  
Q9  
K
L
DDQ  
DD  
SS  
SS  
SS  
DD  
DDQ  
V
V
V
V
V
V
V
Q11  
Q1  
D9  
Q2  
DDQ  
SS  
SS  
DDQ  
D33  
D34  
Q35  
V
V
V
D2  
D1  
Q0  
M
N
P
SS  
SS  
SS  
SS  
V
A
C
A
A
V
A
A
SS  
SS  
D0  
A
A
A
A
A
A
TDO  
TCK  
A
A
TMS  
TDI  
R
C
Document #: 001-06984 Rev. *B  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1510AV18-200BZC CYPRESS

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 		72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1510AV18-200BZI CYPRESS

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 		72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1510AV18-200BZXC CYPRESS

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 		72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
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CY7C1510JV18 CYPRESS

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 		72-Mbit QDR⑩-II SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1510JV18_09 CYPRESS

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 		72-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architectur

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