是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA-165 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 2.8 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 225 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM MODULE | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1366C-250AXC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250AXI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BGC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BGI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BGXC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BGXI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BZC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BZI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BZXC | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1366C-250BZXI | CYPRESS |
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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |