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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.86 |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | TWO BIT WRAPAROUND COUNTER |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1032-7NC | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
|
| CY7C1032-8JC | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 18 Synchronous Cache RAM |
|
| CY7C1032-8JCR | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 8.5ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| CY7C1032-8NC | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
|
| CY7C1034DV33 | CYPRESS |
获取价格 |
6-Mbit (256K X 24) Static RAM |
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| CY7C1034DV33_07 | CYPRESS |
获取价格 |
6-Mbit (256K X 24) Static RAM |
|
| CY7C1034DV33_09 | CYPRESS |
获取价格 |
6-Mbit (256K X 24) Static RAM |
|
| CY7C1034DV33-10BGXI | CYPRESS |
获取价格 |
6-Mbit (256K X 24) Static RAM |
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| CY7C1034DV33-10BGXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTI |
|
| CY7C1034DV33-8BGXC | CYPRESS |
获取价格 |
6-Mbit (256K X 24) Static RAM |
|
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