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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEAD FREE, TSOP2-44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 18.415 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 最大待机电流： | 0.000003 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62127DV30LL-55ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
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| CY62127DV30LL-55ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30LL-55ZXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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| CY62127DV30LL-70BVI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30LL-70BVXI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30LL-70LFXI | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56 |
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| CY62127DV30LL-70ZSI | CYPRESS |
获取价格 |
1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30LL-70ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127V-55BAC | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| CY62127V-55ZC | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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