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CSA1293

更新时间： 2024-02-08 22:01:59

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB

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CSA1293 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

CSA1293 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR

CSA1293

TO-220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Collector Power Dissipation @ Ta=25 deg C

Collector Power Dissipation @ Tc=25 deg C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Lead Temperature for Soldering, 1/16"

from Body for 10 seconds

THERMAL RESISTANCE

VCEO

VEBO

5.0

1.5

deg C

Tstg

150

-55 to +150

260

Junction to Ambient

Junction to Case

Rth (j-a)

Rth (j-c)

83.3

4.2

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

TYP MAX

UNIT

Collector Emitter Sustaining Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

VCEO(sus)* IC=100mA, IB=0

100

ICEO

IEBO

hFE*

VCE=80V, IB=0

VEB=5V, IC=0

IC=0.05A, VCE=1V

IC=1A, VCE=1V

IC=3A, VCE=1V

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

VCE(Sat)* IC=3A,IB=0.15A

VBE(Sat)* IC=3A,IB=0.15A

0.4

1.2

*Pulse Test PW=300us, Duty Cycle=2%

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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