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CS10N65A8R

更新时间： 2024-03-03 10:09:19

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CS10N65A8R 数据手册

CS10N65 A8R

○

Source-Drain Diode Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

1.5

Continuous Source Current (Body Diode)

Maximum Pulsed Current (Body Diode)

Diode Forward Voltage

I_S

I_SM

V_SD

trr

I_S=10A,V_GS=0V

Reverse Recovery Time

528

3220

12.2

I_S=10A,T_j= 25℃

Reverse Recovery Charge

Qrr

I_RRM

dI_F/dt=100A/us,

V_GS=0V

Reverse Recovery Current

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Parameter

Typ.

Symbol

Units

Junction-to-Case

0.96

62.5

℃/W

^θJC

Junction-to-Ambient

R_θ

^a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

^a2：L=10mH, I_D=10A, Start T_J=25℃

^a3：I_SD=10A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS,Start T_J=25℃

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 3 of 10

2015V01

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