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CR3-080GPPTR

更新时间: 2024-11-26 21:00:39
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

CR3-080GPPTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJEDEC-95代码:DO-201AD
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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