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CPH3240

更新时间： 2024-01-01 13:24:55
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 开关高压
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
High-Voltage Switching Applications

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CPH3240 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.53
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：140
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

CPH3240 数据手册

 浏览型号CPH3240的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CPH3240的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CPH3240的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENN7907  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
High-Voltage  
Switching Applications  
CPH3140 / CPH3240  
Features  
•
Adoption of FBET, MBIT processes.  
•
High breakdown voltage and large current capacity.  
•
High-speed switching.  
• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs.  
( ) : CPH3140  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8m)  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)120  
(--)100  
(--)6  
V
V
I
(--)1  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
(--)2  
A
CP  
P
0.9  
W
°C  
°C  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Unit  
min  
max  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
=(--)100V, I =0  
(--)100  
(--)100  
400  
nA  
nA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
=(--)4V, I =0  
C
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
=(--)5V, I =(--)100mA  
140  
C
Gain-Bandwidth Product  
f
T
=(--)10V, I =(--)100mA  
C
120  
(13)8.5  
(--0.2)0.1 (--0.6)0.4  
(--)0.85 (--)1.2  
MHz  
pF  
V
Output Capacitance  
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-to-Base Breakdown Voltage  
Marking CPH3140 : BB  
V
V
(sat)  
I
C
I
C
I
C
I
C
=(--)400mA, I =(--)40mA  
B
CE  
(sat)  
=(--)400mA, I =(--)40mA  
V
BE  
B
V
V
V
=(--)10µA, I =0  
(--)120  
(--)100  
(--)6  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
E
=(--)1mA, R =∞  
BE  
V
I =(--)10µA, I =0  
V
E
C
Continued on next page.  
CPH3240 : DL  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
61504 TS IM TA-100899 No.7907-1/4  
1234

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与CPH3240相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPH3240-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, (-)100V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3
CPH3243 SANYO

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 		CPH3143 / CPH3243
CPH3244 SANYO

获取价格

 		PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
CPH3245 SANYO

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 		PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
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