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CPH3116

更新时间： 2024-01-29 21:38:38
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三洋 - SANYO 转换器
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5页 56K
描述
DC/DC Converter Applications

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CPH3116 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.2最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：420 MHz
最大关闭时间（toff）：200 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

CPH3116 数据手册

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Ordering number:ENN6405A  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
CPH3116/CPH3216  
DC/DC Converter Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.  
2150A  
Features  
[CPH3116/CPH3216]  
· Adoption of MBIT processes.  
· Large current capacitance.  
2.9  
0.15  
0.4  
· Low collector-to-emitter saturation voltage.  
· High-speed switching.  
3
0.05  
· Ultrasmall package facilitates miniaturization in end  
products (mounting height : 0.9mm).  
· High allowable power dissipation.  
2
1
1.9  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
SANYO : CPH3  
Specifications  
( ) : CPH3116  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Collector-to-Base Voltage  
V
(–50)80  
(–50)80  
(–)50  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
CES  
V
V
CEO  
V
(–)5  
V
EBO  
I
(–)1.0  
(–)3  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
A
CP  
I
(–)200  
0.9  
mA  
W
˚C  
˚C  
B
Mounted on a ceramic board (600mm2×0.8mm)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
C
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
=(–)40V, I =0  
E
(–)0.1  
(–)0.1  
560  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
V
V
=(–)4V, I =0  
EBO  
C
h
=(–)2V, I =(–)100mA  
C
200  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
V
V
=(–)10V, I =(–)300mA  
C
=(–)10V, f=1MHz  
420  
(9)6  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
Cob  
Marking : CPH3116 : AR, CPH3216 : CR  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
83100TS (KOTO)/21000TS (KOTO) TA-2706 No.6405–1/5  
12345

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与CPH3116相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPH3116_06 SANYO

获取价格

 		DC / DC Converter Applications
CPH3116-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3
CPH3120 SANYO

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CPH3122 SANYO

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