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CPH3123

更新时间： 2024-02-08 10:45:37
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

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CPH3123 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.52
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：390 MHz
Base Number Matches：1

CPH3123 数据手册

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Ordering number : ENN7221A  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
High-Current Switching  
Applications  
CPH3123 / CPH3223  
Applications  
•
DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.  
Features  
•
•
•
Adoption of MBIT processes.  
High current capacitance.  
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
• High-speed switching.  
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm).  
• High allowable power dissipation.  
Specifications ( ) : CPH3123  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
(--50)100  
Unit  
V
V
CBO  
V
(--50)100  
(--)50  
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
V
(--)6  
V
I
(--)3  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
(--)6  
A
CP  
I
B
(--)600  
0.9  
mA  
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8mm)  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
typ  
max  
(--)1  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
=(--)40V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=(--)4V, I =0  
(--)1  
560  
EBO  
C
h
FE  
=(--)2V, I =(--)100mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=(--)10V, I =(--)500mA  
C
(390)380  
(24)13  
MHz  
pF  
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
Marking : CPH3123 : AU, CPH3223 : CU  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
N1504 TS IM TB-00000301 / 71002 TS IM TA-100095, 3619 No.7221-1/5  
12345

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与CPH3123相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPH3123-TL-E ONSEMI

获取价格

 		双极晶体管，(-)50V，(-)3A，低饱和压，(PNP)NPN 单 CPH3
CPH3140 SANYO

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 		High-Voltage Switching Applications
CPH3140-TL-E ONSEMI

获取价格

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