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CMPF4393TR

更新时间: 2024-10-02 15:29:39
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页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET,

CMPF4393TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.05
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏源导通电阻:100 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3.5 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CMPF4393TR 数据手册

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