CMBA857E

更新时间： 2024-01-27 00:50:15

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描述
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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CMBA857E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

CMBA857E 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

CMBA857

SOT23

PIN CONFIGURATION (PNP)

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

MARKING : AS BELOW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VCBO

VCEO

VEBO

6.0

200

125

deg C

Tstg

-55 to +125

deg C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

150

TYP

MAX

100

500

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

VCEO

ICBO

IEBO

IC=100uA, IB=0

VCB=60V, IE=0

VEB=6V, IC=0

hFE(1)

hFE(2)

IC=1mA,VCE=6V

IC=0.1mA,VCE=6V

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

VCE(Sat) IC=100mA,IB=10mA

VBE(Sat) IC=100mA,IB=10mA

0.30

1.0

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

Cob

VCE=6V,IC=10mA,

VCB=6V, IE=0

f=1MHz

200

4.0

MHz

Noise Figure

VCE=6V, IE=0.3mA

f=100Hz, Rg=10kohms

CLASSIFICATION

hFE(1)

MARKING

150-300

250-500

Continental Device India Limited

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Data Sheet

12 3

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