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CLA110MB1200NA

更新时间： 2024-02-27 04:27:23

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5页	714K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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CLA110MB1200NA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.29	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CLA110MB1200NA 数据手册

CLA110MB1200NA

Thyristor

150

1000

900

10000

V_R= 0 V

50 Hz, 80% V_RRM

100

800

T_VJ= 45°C

I_TSM

I²t

I_T

T_VJ= 45°C

700

600

500

400

[A]

[A²s]

[A]

T_VJ= 125°C

125°C

150°C

T_VJ= 25°C

1000

0,5

1,0

V_T[V]

Fig. 1 Forward characteristics

1,5

0,01

0,1

4 5 6 7 8 910

t [s]

t [ms]

Fig. 3 I²t versus time (1-10 ms)

Fig. 2 Surge overload current

1000

100

160

140

120

100

1: I

, T = 150°C

GD VJ

2: I , T

GT VJ

= 25°C

dc =

0.5

0.4

3: I , T = -40°C

GT VJ

0.33

0.17

0.08

typ.

Limit

I_T(AV)M

t_gd

V_G

[V]

[µs]

[A]

= 125°C

4: P

= 0.5 W

GAV

5: P

6: P

1 W

10 W

0,1

100

1000 10000

100

I_G[mA]

1000

25 50 75 100 125 150

I_G[mA]

T_C[°C]

Fig. 5 Gate controlled delay time

Fig. 4 Gate trigger characteristics

Fig. 6 Max. forward current

at case temperature

0,6

R_thHA

dc =

0.5

0.4

0.6

0.8

0,5

0.33

0.17

0.08

1.0

0,4

2.0

4.0

Z_thJC

0,3

[K/W]

0,2

P_(AV)

[W]

R_thi[K/W] t_i[s]

0.062

0.038

0.111

0.134

0.205

0.011

0.001

0.03

0.35

0.14

0,1

0,0

100

150

100

1000

10000

I_T(AV)[A]

T_amb[°C]

t [ms]

Fig. 7a Power dissipation versus direct output current

Fig. 7b and ambient temperature

Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20150827c

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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CL-A120-1W-SD	CITIZEN	Mono-Color Side-Lighting Type	获取价格
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CLA-13-6013	TELEDYNE	Low Noise Amplifier 6 GHz - 13 GHz	获取价格
CLA-13-6014	TELEDYNE	Low Noise Amplifier 6 GHz - 13 GHz	获取价格
CLA-13-6015	TELEDYNE	Low Noise Amplifier 6 GHz - 13 GHz	获取价格