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DB3

更新时间： 2024-02-12 18:43:36

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辰达行 - MDD		二极管双向触发二极管数据判读及分析中心 IOT
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描述
BIDIRECTIONAL TRIGGER DIODE Reverse Voltage - 32 Volts Power: 150mW

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DB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	DO-35G, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	7.74
Is Samacsys：	N	最大转折电压：	36 V
最小转折电压：	28 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	DIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	DIAC	Base Number Matches：	1

DB3 数据手册

DB3

BIDIRECTIONAL TRIGGER DIODE

Reverse Voltage - 32 Volts Power: 150mW

DO-35(GLASS)

FEATURES

Small glass structure ensures high reliability

VBO:28-36V version

Low breakover current

High temperature soldering guaranteed

250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

1.0 2(26.0)

MIN.

0.079(2.0)

MAX

0.165 (4.2)

MAX

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-35 glass body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

1.0 2(26.0)

MIN.

0.020(0.45)

TYP

Mounting Position: Any

Weight:0.005 ounce, 0.14gram

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

VALUE

TEST

SYMBOLS

UNITS

MDD Catalog

Number

CONDITION

C=22nF **

(NOTE 1)

DIAGRAM2

C=22nF **

DIAGRAM3

VR=0.5VBO

TA=65 C

Min.

-3

Typ.

Max.

Breakover voltage *

VBO

VOLTS

µA

Breakover voltage symmetry

Dynamic breakover voltage *

Output voltage *

I+VBOI-I-VBO I

I ∆ V + I

IBO

Breakover current *

100

Rise time *

1.5

µS

Leakage current *

µA

Power dissipation on printed circuit

150

tp=20µs

Repetitive peak on-state current

ITRM

f=100Hz

Thermal Resistances from Junction to ambient

Thermal Resistances from Junction to lead

Operating junction and storage temperature range

RΘJA

RΘJL

400

150

125

C/W

TJ,TSTG

-40

:Electrical characteristic appoicaboe in forward and reverse directions.

** :Connected in parallel with the devices.

Note 1:IBO from IBO to 10mA

MDD ELECTRONIC

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