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CED2838ETR

更新时间： 2024-02-15 00:04:18

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CENTRAL		二极管
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2页	178K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, LEADLESS PACKAGE-3

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CED2838ETR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.84	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
最大功率耗散：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

CED2838ETR 数据手册

CED2838E

Central

Semiconductor Corp.

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

DUAL, COMMON CATHODE

SILICON SWITCHING DIODES

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CED2838E type

are dual common cathode silicon switching diodes

manufactured by the epitaxial planar process and

packaged in an epoxy molded TLP™ surface mount

case. This device is ideal for high speed switching

applications requiring extremely demanding size

constraints.

FEATURES:

• Power Dissipation 100mW

• Low Package Profile, 0.5mm

• Very low leakage current

• Small, TLP™ 1x0.6mm, SOT-883 Leadless Surface

Mount Package

Top View

Bottom View

SOT-883 CASE

MARKING CODES: K

APPLICATIONS:

• High speed switching

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Forward Current

Power Dissipation

100

200

300

100

RRM

mW (Note 1)

Operating and Storage

Junction Temperature

T , T

stg

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

100

TYP

MAX

UNITS

V =70V

100

♦

I =100µA

I =10mA

0.7

0.8

0.9

0.6

3.0

0.9

1.0

1.1

2.0

4.0

I =50mA

I =100mA

V =0, f=1 MHz

I =I =10mA, R =100Ω, Rec. to 1.0mA

Enhanced specification

♦

Notes: (1) FR-4 epoxy PC board with a mounting pad area of 10mm x 10mm

R0 (13-December 2006)

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