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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDBA220LR-HF
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CDBA220LR-HF

更新时间： 2024-02-21 09:23:06
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
4页 92K
描述
Low VF Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers

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CDBA220LR-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.4 V最大非重复峰值正向电流：70 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

CDBA220LR-HF 数据手册

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Low VF Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers  
CDBA220LR-HF Thru. CDBA2200LR-HF  
Reverse Voltage: 20 to 200 Volts  
Forward Current: 2.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen free  
Features  
DO-214AC (SMA)  
-Low Profile surface mount applications  
in order to optimize board space.  
-Low power loss, high efficiency.  
-Hight current capability, low forward voltage drop.  
-Hight surge capability.  
-Guardring for overvoltage protection.  
-Ultra high-speed switching.  
0.067 (1.70)  
0.047 (1.20)  
0.114 (2.90)  
0.083 (2.10)  
0.181 (4.60)  
0.157 (4.00)  
-Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction.  
0.012 (0.30)  
TYP.  
Mechanical data  
0.098 (2.50)  
0.067 (1.70)  
-Epoxy: UL94-V0 rate flame retardant.  
-Case: Molded plastic, DO-214AC / SMA  
0.008(0.20)  
0.004(0.10)  
0.209 (5.30)  
0.185 (4.70)  
0.061 (1.55)  
0.030 (0.75)  
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
-Polarity: Indicated by cathode band.  
-Weight: 0.055 grams  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at Ta=25°C unless otherwise noted.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derate current by 20% .  
CDBA  
CDBA  
CDBA  
CDBA  
CDBA  
CDBA  
Parameter  
Symbol  
Units  
220LR-HF 240LR-HF 260LR-HF 2100LR-HF 2150LR-HF 2200LR-HF  
Max. Repetitive peak reverse voltage  
Max. DC blocking voltage  
Max. RMS voltage  
VRRM  
VDC  
VRMS  
VF  
20  
20  
40  
40  
60  
60  
100  
100  
70  
150  
150  
105  
0.82  
200  
200  
140  
0.85  
V
V
14  
28  
42  
V
Max. Instantaneous forward voltage  
@2.0A, TA=25°C  
0.40  
0.45  
0.55  
0.75  
V
Operating Temperature  
TJ  
-50 to +150  
-50 to +175  
°C  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
Units  
see Fig.1  
Forward rectified current  
Forward surge current  
IO  
2.0  
A
A
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
70  
VR =VRRM TA=25°C  
VR =VRRM TA=100°C  
IR  
IR  
0.5  
20  
mA  
mA  
Reverse Current  
Thermal Resistance  
Junction to ambient  
RθJA  
CJ  
50  
30  
°C/W  
Diode Junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHZ and applied 4V DC reverse Voltage  
pF  
°C  
TSTG  
-50  
+175  
REV:A  
Page 1  
QW-JL020  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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