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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDBA220SLR-HF
CDBA220SLR-HF PDF预览

CDBA220SLR-HF

更新时间： 2024-02-07 23:02:13
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
Super Low VF Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers

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CDBA220SLR-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.35 V最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

CDBA220SLR-HF 数据手册

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Super Low VF Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers  
CDBA220SLR-HF Thru. CDBA260SLR-HF  
Reverse Voltage: 20 to 40 Volts  
Forward Current: 2.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen free  
DO-214AC (SMA)  
Features  
-Low Profile surface mount applications  
in order to optimize board space.  
-Low power loss, high efficiency.  
-Hight current capability, low forward voltage drop.  
-Hight surge capability.  
0.067 (1.70)  
0.047 (1.20)  
0.114 (2.90)  
0.083 (2.10)  
0.181 (4.60)  
0.157 (4.00)  
-Guardring for overvoltage protection.  
-Ultra high-speed switching.  
-Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction.  
0.012 (0.30)  
TYP.  
Mechanical data  
0.098 (2.50)  
0.067 (1.70)  
-Epoxy: UL94-V0 rate flame retardant.  
-Case: Molded plastic, DO-214AC / SMA  
0.008(0.20)  
0.004(0.10)  
0.209 (5.30)  
0.185 (4.70)  
0.061 (1.55)  
0.030 (0.75)  
-Terminals: Gold plated, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
-Polarity: Indicated by cathode band.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-weight: 0.055 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at Ta=25°C unless otherwise noted.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derate current by 20% .  
Symbol  
CDBC220SLR-HF  
CDBC240SLR-HF  
CDBC260SLR-HF  
Units  
Parameter  
Max. Repetitive peak reverse voltage  
Max. DC blocking voltage  
Max. RMS voltage  
VRRM  
VDC  
VRMS  
VF  
20  
20  
40  
40  
60  
60  
V
V
14  
28  
42  
V
Max. instantaneous forward voltage @  
2.0A, TA=25°C  
0.35  
0.40  
0.50  
V
Operating Temperature  
TJ  
-50 to +150  
°C  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
Units  
see Fig.1  
Forward rectified current  
Forward surge current  
IO  
2.0  
A
A
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
50  
VR =VRRM TA=25°C  
VR =VRRM TA=100°C  
IR  
IR  
0.5  
20  
mA  
mA  
Reverse current  
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RθJA  
CJ  
50  
30  
°C/W  
Diode junction capacitance f=1MHZ and applied 4V DC reverse Voltage  
Storage temperature  
pF  
°C  
TSTG  
-50  
+150  
REV: A  
Page 1  
QW-JL016  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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