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CDB1370EF

更新时间： 2024-01-22 12:03:15

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CDIL		晶体晶体管
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2页	88K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

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CDB1370EF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CDB1370EF 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

CDB1370EF

(9AW)

TO126

MARKING: CDB

1370

Low Freq. Power Amp.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Peak*

Collector Power Dissipation @ Ta=25 deg C

Collector Power Dissipation @ Tc=25 deg C

Junction Temperature

VCBO

VCEO

VEBO

1.5

deg C

Tstg

150

-55 to +150

Storage Temperature Range

*Single Pulse Pw=100ms

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

ICEO

IEBO

IC=1mA, IB=0

IC=50uA, IE=0

IE=50uA,IC=0

VCB=60V, IE=0

VCE=60V,IB=0

VBE=4V,IC=0

Collector Cut off Current

1.5

300

Emitter Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

VCE(Sat)** IC=2A,IB=0,.2A

VBE(Sat)** IC=2A, IB=0.2A

hFE**

IC=0.5A, VCE=5V

100

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

VCE=5V,IC=0.5A,

f=5MHz

MHz

Collector Output Capacitance

Cob

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

**Pulse Test

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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与CDB1370EF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CDB150	LITTELFUSE	Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 1.5W,	获取价格
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CDB150X-01	CIRRUS	High-efficiency PFC Demonstration Board	获取价格
CDB-15PF	HRS	CD CRIMP TYPE CONNECTOR	获取价格
CDB-15SF	HRS	CD CRIMP TYPE CONNECTOR	获取价格
CDB1600-120W	CIRRUS	CS1600 120W, High-efficiency PFC Demonstration Board	获取价格