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CCS15S30,L3F

更新时间： 2024-10-02 21:15:31

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东芝 - TOSHIBA		二极管
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6页	141K
描述
DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C

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CCS15S30,L3F 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1.56
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	R-XBCC-N2
最大非重复峰值正向电流：	5 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	500 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

CCS15S30,L3F 数据手册

CCS15S30

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial

CCS15S30

1. Applications

•

High-Speed Switching

2. Features

(1) Low forward voltage: VF(1) = 0.33 V (typ.)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Cathode

2: Anode

CST2C

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )

Characteristics

Symbol

Note

Rating

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

VRM

1.5

Average rectified current

Non-repetitive peak forward surge current

Junction temperature

(Note 1)

(Note 2)

IFSM

125



Storage temperature

Tstg

-55 to 125

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Mounted on an FR4 board.

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)

Note 2: Measured with a 10 ms pulse.

Start of commercial production

2013-07

2015-11-13

Rev.4.0

12 3 4 5 6

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