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CAT28F010V5N-15 PDF预览

CAT28F010V5N-15

更新时间： 2024-01-22 08:36:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 115K
描述
IC 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM

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CAT28F010V5N-15 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最长访问时间：150 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：64端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
部门规模：2K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

CAT28F010V5N-15 数据手册

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CAT28F010  
Licensed Intel  
1 Megabit CMOS Flash Memory  
second source  
FEATURES  
■ Commercial, industrial and automotive  
■ Fast read access time: 90/120 ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)  
–Standby: 1 mA max (TTL levels)  
–Standby: 100 µA max (CMOS levels)  
■ On-chip address and data latches  
■ JEDEC standard pinouts:  
–32-pin DIP  
–32-pin PLCC  
–32-pin TSOP (8 x 20)  
■ High speed programming:  
–10 µs per byte  
–2 Sec Typ Chip Program  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 10 year data retention  
■ Electronic signature  
■ 0.5 seconds typical chip-erase  
■ 12.0V ± 5% programming and erase voltage  
■ Stop timer for program/erase  
DESCRIPTION  
using a two write cycle scheme. Address and Data are  
latched to free the I/O bus and address bus during the  
write operation.  
TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectrically  
erasable and reprogrammable Flash memory ideally  
suited for applications requiring in-system or after-sale  
code updates. Electrical erasure of the full memory  
contents is achieved typically within 0.5 second.  
The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retention of 10 years. The device is available in JEDEC  
approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin  
TSOP packages.  
It is pin and Read timing compatible with standard  
EPROM and EEPROM devices. Programming and  
Erase are performed through an operation and verify  
algorithm. The instructions are input via the I/O bus,  
I/O –I/O  
0
7
BLOCK DIAGRAM  
I/O BUFFERS  
ERASE VOLTAGE  
SWITCH  
WE  
DATA  
LATCH  
SENSE  
AMP  
COMMAND  
REGISTER  
PROGRAM VOLTAGE  
SWITCH  
CE, OE LOGIC  
CE  
OE  
Y-GATING  
Y-DECODER  
1,048,576 BIT  
MEMORY  
ARRAY  
A –A  
16  
0
X-DECODER  
VOLTAGE VERIFY  
SWITCH  
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1019, Rev. G  
1
1234567...16

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与CAT28F010V5N-15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28F010V5N-20 ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F010V5NI-12 ONSEMI

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
CAT28F010V5NI-15 ONSEMI

获取价格

 		128KX8 FLASH 5V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F010V5NI-20 ONSEMI

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 5V PROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
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 		128KX8 FLASH 5V PROM, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
CAT28F010V5P-15 ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 5V PROM, 150ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
CAT28F010V5P-20 ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
CAT28F010V5PI-12 ETC

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 		x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5PI-15 ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 5V PROM, 150ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
CAT28F010V5PI-20 ETC

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