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CAT28F010V5P-20

更新时间： 2024-01-11 19:28:26

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	115K
描述
128KX8 FLASH 5V PROM, 200ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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CAT28F010V5P-20 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	长度：	42.03 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

CAT28F010V5P-20 数据手册

CAT28F010

Licensed Intel

1 Megabit CMOS Flash Memory

second source

FEATURES

■ Commercial, industrial and automotive

■ Fast read access time: 90/120 ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

–Standby: 1 mA max (TTL levels)

–Standby: 100 µA max (CMOS levels)

■ On-chip address and data latches

■ JEDEC standard pinouts:

–32-pin DIP

–32-pin PLCC

–32-pin TSOP (8 x 20)

■ High speed programming:

–10 µs per byte

–2 Sec Typ Chip Program

■ 100,000 program/erase cycles

■ 10 year data retention

■ Electronic signature

■ 0.5 seconds typical chip-erase

■ 12.0V ± 5% programming and erase voltage

■ Stop timer for program/erase

DESCRIPTION

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and EEPROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

I/O –I/O

BLOCK DIAGRAM

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

1,048,576 BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1019, Rev. G

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28F010V5PI-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5PI-15	ONSEMI	获取价格	128KX8 FLASH 5V PROM, 150ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
CAT28F010V5PI-20	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14-15	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14-20	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14I-12	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14I-15	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
CAT28F010V5T14I-20	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM

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