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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.14 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 90 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 2A | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 编程电压： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CAT28F010TRA-12 | ONSEMI |
获取价格 |
128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
|
| CAT28F010TRA-12T | CATALYST |
获取价格 |
1 Megabit CMOS Flash Memory |
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| CAT28F010TRA-12T | ONSEMI |
获取价格 |
128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
|
| CAT28F010TRA-15 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| CAT28F010TRA-70 | ETC |
获取价格 |
x8 Flash EEPROM |
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| CAT28F010TRA-70T | ONSEMI |
获取价格 |
IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 70 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32, Programmable ROM |
|
| CAT28F010TRA-70T | CATALYST |
获取价格 |
1 Megabit CMOS Flash Memory |
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| CAT28F010TRA-90 | ONSEMI |
获取价格 |
128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| CAT28F010TRA-90T | CATALYST |
获取价格 |
1 Megabit CMOS Flash Memory |
|
| CAT28F010TRA-90T | ONSEMI |
获取价格 |
IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32, Programmable ROM |
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