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CAT28F010TR-90

更新时间： 2024-02-27 08:35:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 115K
描述
128KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32

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CAT28F010TR-90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NO耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：18.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
反向引出线：YES座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CAT28F010TR-90 数据手册

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CAT28F010  
Licensed Intel  
1 Megabit CMOS Flash Memory  
second source  
FEATURES  
■ Commercial, industrial and automotive  
■ Fast read access time: 90/120 ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
–Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)  
–Standby: 1 mA max (TTL levels)  
–Standby: 100 µA max (CMOS levels)  
■ On-chip address and data latches  
■ JEDEC standard pinouts:  
–32-pin DIP  
–32-pin PLCC  
–32-pin TSOP (8 x 20)  
■ High speed programming:  
–10 µs per byte  
–2 Sec Typ Chip Program  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 10 year data retention  
■ Electronic signature  
■ 0.5 seconds typical chip-erase  
■ 12.0V ± 5% programming and erase voltage  
■ Stop timer for program/erase  
DESCRIPTION  
using a two write cycle scheme. Address and Data are  
latched to free the I/O bus and address bus during the  
write operation.  
TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectrically  
erasable and reprogrammable Flash memory ideally  
suited for applications requiring in-system or after-sale  
code updates. Electrical erasure of the full memory  
contents is achieved typically within 0.5 second.  
The CAT28F010 is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retention of 10 years. The device is available in JEDEC  
approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin  
TSOP packages.  
It is pin and Read timing compatible with standard  
EPROM and EEPROM devices. Programming and  
Erase are performed through an operation and verify  
algorithm. The instructions are input via the I/O bus,  
I/O –I/O  
0
7
BLOCK DIAGRAM  
I/O BUFFERS  
ERASE VOLTAGE  
SWITCH  
WE  
DATA  
LATCH  
SENSE  
AMP  
COMMAND  
REGISTER  
PROGRAM VOLTAGE  
SWITCH  
CE, OE LOGIC  
CE  
OE  
Y-GATING  
Y-DECODER  
1,048,576 BIT  
MEMORY  
ARRAY  
A –A  
16  
0
X-DECODER  
VOLTAGE VERIFY  
SWITCH  
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1019, Rev. G  
1
1234567...16

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与CAT28F010TR-90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28F010TR-90T CATALYST

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 		1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F010TR-90T ONSEMI

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 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32, Programmable ROM
CAT28F010TR-90TE13 CATALYST

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 		Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
CAT28F010TR-90TE7 CATALYST

获取价格

 		Flash, 128KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
CAT28F010TR-90TE7 ONSEMI

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32, Programmable ROM
CAT28F010TRA-12 ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
CAT28F010TRA-12T CATALYST

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 		1 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F010TRA-12T ONSEMI

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 		128KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
CAT28F010TRA-15 ETC

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 		x8 Flash EEPROM

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