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CAT1021YI-30TE13

更新时间： 2024-02-06 09:15:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 193K
描述
1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, TSSOP-8

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CAT1021YI-30TE13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.07
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
Base Number Matches：1

CAT1021YI-30TE13 数据手册

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CAT1021, CAT1022, CAT1023  
Table 9. RESET CIRCUIT AC CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Note 2  
Min  
Typ  
Max  
270  
5
Units  
ms  
ms  
t
Power−Up Reset Timeout  
130  
200  
PURST  
t
V
TH  
V
CC  
to RESET output Delay  
Glitch Reject Pulse Width  
Note 3  
RDP  
t
Notes 4 and 5  
Note 1  
30  
ns  
GLITCH  
MR Glitch  
Manual Reset Glitch Immunity  
MR Pulse Width  
100  
ns  
t
Note 1  
5
ms  
MRW  
t
MR Input to RESET Output Delay  
Watchdog Timeout  
Note 1  
1
ms  
MRD  
t
Note 1  
1.0  
1.6  
2.1  
sec  
WD  
Table 10. POWER−UP TIMING (Notes 5 and 6)  
Symbol  
Parameter  
Power−Up to Read Operation  
Power−Up to Write Operation  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
270  
270  
Units  
ms  
t
PUR  
t
ms  
PUW  
Table 11. AC TEST CONDITIONS  
Parameter  
Test Conditions  
Input Pulse Voltages  
0.2 x V to 0.8 x V  
CC  
CC  
Input Rise and Fall Times  
Input Reference Voltages  
Output Reference Voltages  
Output Load  
10 ns  
0.3 x V , 0.7 x V  
CC  
CC  
0.5 x V  
CC  
Current Source: I = 3 mA; C = 100 pF  
OL  
L
Table 12. RELIABILITY CHARACTERISTICS  
Symbol  
(Note 5)  
Parameter  
Endurance  
Reference Test Method  
Min  
1,000,000  
100  
Max  
Units  
N
MIL−STD−883, Test Method 1033  
MIL−STD−883, Test Method 1008  
MIL−STD−883, Test Method 3015  
JEDEC Standard 17  
Cycles/Byte  
Years  
END  
T
(Note 5)  
(Note 5)  
Data Retention  
DR  
V
ESD Susceptibility  
2000  
Volts  
ZAP  
I
(Notes 5 & 7) Latch−Up  
100  
mA  
LTH  
1. Test Conditions according to “AC Test Conditions” table.  
2. Power−up, Input Reference Voltage V = V , Reset Output Reference Voltage and Load according to “AC Test Conditions” Table  
CC  
TH  
3. Power−Down, Input Reference Voltage V = V , Reset Output Reference Voltage and Load according to “AC Test Conditions” Table  
CC  
TH  
4. V Glitch Reference Voltage = V  
; Based on characterization data  
CC  
THmin  
5. This parameter is characterized initially and after a design or process change that affects the parameter. Not 100% tested.  
6. t  
and t  
are the delays required from the time V is stable until the specified memory operation can be initiated.  
PUR  
PUW CC  
7. Latch−up protection is provided for stresses up to 100 mA on input and output pins from −1 V to V + 1 V.  
CC  
http://onsemi.com  
6
1...3456789...20

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CAT1021YI42 ONSEMI 1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDSO8, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-153, TSS

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