C10T60F-11A

更新时间： 2024-02-04 19:30:28

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NIEC		整流二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
Low Forward Voltage Drop Diode

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C10T60F-11A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JEDEC-95代码：	TO-220
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	30 µA
最大反向恢复时间：	0.04 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

C10T60F-11A 数据手册

FRD Type : C10T60F-11A

OUTLINE DRAWING

FEATURES

* Tabless TO-220

* Dual Diodes – Cathode Common

* Ultra – Fast Recovery

* Low Forward Voltage Drop

* High Surge Capability

* 200 Volts thru 600 Volts Types Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:1.75g

C10T60F-11A

Symbol

Rating

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

V_RRM

I_O

I_F(RMS)

I_FSM

600

50 Hz,Full Sine Wave

Resistive Load

11.1

Tc=99°C

50 Hz Full Sine Wave,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Tjw

Tstg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

I_RM

V_FM

Tj=25°C,V_RM=V_RRMper Arm

Tj=25°C, I_FM=5A per Arm

I_FM= 5 A,

1.7

µA

trr

-di/dt= 50 A/µs, Ta= 25°C

Rth(j-c) Junction to Case

°C/W

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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