C10T10FTRRH

更新时间： 2024-02-19 13:52:39

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NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

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C10T10FTRRH 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	R-XSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE AND CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.85 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-XSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	120 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE

C10T10FTRRH 数据手册

SBD T y p e : C10T10Q

OUTLINE DRAWING

FEATURES

*SQUARE-PAK TO-263AB(SMD)

Packaged in 24mm Tape and Reel

*Dual Diodes – Cathode Common

*Low Forward Voltage Drop

*High Surge Capability

*Tj=150 °C operation

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 1.4g

C10T10Q

Rating

Symbol

V_RRM

I_O

I_F(RMS)

I_FSM

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

100

50 Hz Full Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

Tc=121°C

11.1

50Hz Full Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

120

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

T_jw

T_stg

-40 to +150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Symbol

I_RM

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

per arm

Tj= 25°C, I_FM= 5 A

Per arm

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance

V_FM

0.85

Rth₍j-c) Junction to Case

°C /W

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
C10T10Q	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
C10T10Q_15	NI	获取价格	SBD
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C10T20F_2015	NI	获取价格	FRED
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