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BZX85C4V3

更新时间： 2024-02-08 21:56:05

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KINGTRONICS		二极管齐纳二极管测试高压
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描述
BZX85C Silicon Planar Power Zener Diodes

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BZX85C4V3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	7.22
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.3 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.98%
工作测试电流：	50 mA	Base Number Matches：	1

BZX85C4V3 数据手册

Website: www.kingtronics.com

Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099

BZX85C

Silicon Planar Power Zener Diodes

DO-41

FEATURES

For use in stabilizing and clipping circuits with high

power rating.

The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard. Other tolerances and

higher Zener voltages are upon request.

Glass case DO-41 Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T^a= 25℃)

Symbol

Value

UNIT

Parameter

Power Dissipation

Ptot

1.3

200

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Tstg

- 55 to + 200

¹⁾Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

Characteristics at Ta = 25℃

Symbol

UNIT

Parameter

Max.

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

RthA

130

K/W

Forward Voltage

at I^F= 200 mA

1.2

¹⁾Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

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